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5月8日消息，NAND闪存进入3D时代之后，提高容量的方式主要靠堆栈层数了，2022年几大原厂已将层数提升到232层以上，再下一个目标就是超过300层，而且要继续提高性能，西数、铠侠就公布了相关信息。

在2023年的VLSI集成电路会议上，他们将发布最新的研究论文，介绍8平面3D闪存以及堆栈层数可以超过300层的闪存。

相比当前的4平面3D闪存，8平面结构可以增加并行性，他们开发出的1Tb 3D TLC闪存有210个有源层，IO接口速度达到了3.2GT/s，跟3月份推出的218层堆栈1Tb 3D TLC闪存非常相似。

这样的结构明显提升了TLC闪存的性能，读取延迟从128层堆栈闪存的56us减少到了40us，速度提升到了205MB/s，差不多能跟当前的机械硬盘一拼了，后者通常的速度在200到250MB/s左右。

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